三星电子20日表示，已完成开发二代10奈米鳍式场效电晶体的制程技术，将有助该公司争取更多的晶圆代工业务合作伙伴。

韩联社报导，三星表示，虽然先前已开发出业界第一代的10奈米FinFET技术，但新发展的第二代技术将使性能表现提高10%，省电效率也提高15%。

三星已在自家的Exynos 9处理器与高通的Snapdragon 835采用第一代技术。

三星表示，正寻求分散晶圆代工客户，同时将自家技术运用于更广泛的产业，包括穿戴、物联网与网络领域。

三星表示，已计划第4季让首尔南方地区的华城厂扩厂，以稳定供应晶片。