三星电子将成为全球首家量产第二代10奈米等级DRAM的业者，从单一晶圆可生产DRAM的数量比先前第一代足足大增30%，有助扩大市场领先地位，并满足大数据时代对DRAM的激增需求。

三星电子20日表示，上月开始量产1y奈米制程的8Gb DDR4 DRAM，这也显示三星去年2月开启第一代10奈米级DRAM产线后，在仅仅21个月内就克服精细制程的限制。

三星这更新的记忆体设计，有助使资料传输速度加快10%以上，并提升晶片功耗至少15%。虽然这类型记忆体大多应用于资料中心伺服器，但三星企图也将这项技术应用于手机和其他行动装置的DRAM。

三星已是全球DRAM和NAND业的先驱，如今更抢先量产尖端晶片，进一步超前韩国国内、美国和日本等同业。除了若干应用外，三星正将所有DRAM产品升至10奈米水准，至少已革月半数产量都属于该等级。