晶圆代工厂格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)宣布，推出7奈米鳍式场效电晶体(FinFET)制程技术，预计2018年下半年量产。

格罗方德表示， 7奈米制程技术与14奈米制程相比，除面积可望缩一半，处理性能也将提升超过40%， 将可满足高阶行动处理器、云端伺服器基础设备等应用需求。

为加快7奈米量产进度，格罗方德预计今年下半年首度购入两组极紫外光(EUV)光刻工具。

格罗方德指出，目前 7奈米已在纽约Fab8晶圆厂内做好为客户设计提供服务的准备，预计2018年下半年量产。

格罗方德表示，目前正积极开发 5奈米及后续技术，以确保客户能够使用最先进技术。

格罗方德同时宣布，推出使用 7奈米制程的特殊应用晶片(ASIC)平台，将主打资料中心、机器学习、汽车与5G等应用市场，预计2019年量产。